Схемы драйверов для мощных mosfet транзисторов
Особенности применения драйверов MOSFET и IGBT
Suded Emmanuel. P-канальные MOSFET могут упростить конструкцию, если использовать их в качестве ключей верхнего плеча в схемах с напряжениями, превышающими В постоянного тока. При управлении MOSFET необходимо быстро заряжать и разряжать входную емкость между его затвором и истоком, чтобы уменьшить тепловые потери. Решить эту задачу может схема, изображенная на Рисунке 1. Последовательность широтно-модулированных импульсов от внешнего генератора коммутирует нагрузку с частотой до 60 кГц и переменным коэффициентом заполнения. Схема, образованная Q 4 , R 5 , D 2 , R 4 , D 3 и R 3 , обеспечивает смещение уровня и гарантирует, что напряжение между затвором и истоком Q 7 никогда не превысит 10 В.
Усовершенствованная схема драйвера белого светодиода на полевом транзисторе
Благодаря отрицательному температурному коэффициенту тока короткого замыкания, появилась возможность создавать транзисторы, устойчивые к короткому замыканию. Для ключевых элементов с управляющим затвором опасным также является состояние, когда напряжение управления падает до значения, при котором транзистор может перейти в линейный режим и выйти из строя из-за перегрева кристалла. Отсутствие тока управления в статических режимах и общее низкое по-требление по цепям питания позволяет отказаться от гальванически изолированных схем управления на дискретных элементах и создать интегральные схемы управления - драйверы. В настоящее время ряд фирм и прежде всего фирма International Rectifier выпускает широкую гамму таких устройств, управляющих одиночными транзисторами, полумостами и мостами - двух и трехфазными. Кроме обеспечения тока затвора они способны выполнять и ряд вспомогательных функций, таких, как защита от перегрузки по току, падения напряжения управления и ряд других. В данной статье рассматриваются способы использования серийных драйверов для режимов защиты.
| 109 | Драйвер англ. | |
| 6 | На рис. В этом драйвере верхний или нижний ключи и блок обработки сигнала разделены изоляцией потенциала для управляющих сигналов, сигналов управления мощностью и обратной связью по выходу и при сбоях. | |
| 136 | В общем случае процесс перезаряда емкостей затвора может контролироваться сопротивлением, напряжением и током рис. Управление затвором: а с помощью сопротивления; б напряжения; в тока. |
Область применения интеллектуальных силовых модулей IPM с силовым каскадом и схемой управления затворами, расположенными на одном кристалле [1] или на отдельных кристаллах [2], ограничена низковольтными преобразователями малой мощности напряжение и В, ток — до 30 А. В широко применяемых в настоящее время интегральных схемах драйверов с напряжением и В для разделения входных и выходных каскадов используются схемы сдвига уровня, построенные на базе высоковольтных p-n -структур [3]. Несмотря на то, что микросхемы HVIC востребованы рынком, возможности сдвига потенциалов с помощью полупроводниковых переходов очень ограничены. Отрицательные переходные перенапряжения, наводимые при коммутации токов в паразитных индуктивностях силовых цепей, приводят к защелкиванию паразитных триггерных структур, неизбежно присутствующих в выходных каскадах HVIC-драйверов. Этот вопрос полностью не решен до сих пор в первую очередь из-за низкой устойчивости каскадов сдвига уровня. Высоковольтная базовая технология SOICMOS[7, 8] обеспечивает абсолютное подавление эффекта защелкивания, поскольку все активные элементы структуры SOI имеют диэлектрическую изоляцию рис.
