Токи в биполярном транзисторе связаны выражением

Два p-n-перехода образуются в результате чередования областей с разным типом электропроводности. Структура реального транзистора типа n-p-n изображена на рисунке 3. Кроме того, у большинства БТ одна из крайних областей n 1 с меньшей площадью сечения легирована гораздо сильнее, чем другая крайняя область n 2.

Биполярные транзисторы. Принцип работы и применение

Биполярным транзистором называется электропреобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий в своей структуре два взаимодействующих p-n-перехода и три внешних вывода, и предназначенный, в частности, для усиления электрических сигналов. В дальнейшем для краткости будем его называть просто - транзистором. Структура транзистора, изготовленного по диффузионной технологии, приведена на рис. Как видно из рисунка, транзистор имеет три области полупроводника, называемые его электродами, причем две крайние области имеют одинаковый тип проводимости, а средняя область - противоположный.

Биполярным транзистором называется трехэлектродный усилительный полупроводниковый прибор, имеющий трехслойную p-n-p, либо n-p-n структуру с двумя взаимодействующими ключевое слово p-n переходами. Термин «биполярный» подчеркивает тот факт, что принцип действия транзистора основан на взаимодействии с электрическим полем частиц обоих знаков - как дырок, так и электронов. На рис.

В кратком обзоре мы попытались, насколько это было возможно, описать принцип действия биполярных транзисторов и привести примеры их применения. Разумеется, мы не сможем заменить этой статьей тысячи страниц, посвященные данной теме, но надеемся, что и приведенные нами сведения окажутся полезными читателю. Датой создания биполярного транзистора считается 23 декабря г. В этот день транзистор был анонсирован в лаборатории Bell Telephone Laboratories компании American Telephone and Telegraph.